Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
0
Categorie di Prodotto :
Audio
>
306
Automazione
>
19
Cavi
>
1768
Componenti passivi
>
14444
Computer
>
56
Connettori
>
5629
Contenitori per elettronica
>
1201
Elettronica per il tempo libero
>
540
Energia
>
1333
Interruttori
>
929
Optoelettronica
>
1956
Parti meccaniche
>
439
Protezione elettrica
>
1127
Raffreddamento
>
751
Relè
>
850
Riparazione
>
956
Semiconduttori
>
14457
Trasformatori
>
554
Utensili
>
1371
Semiconduttori Transistor

IRFP460

IRFP460
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 1 6.09€ 7.43€
2 - 2 5.79€ 7.06€
3 - 4 5.48€ 6.69€
5 - 9 5.18€ 6.32€
10 - 19 5.06€ 6.17€
20 - 29 4.94€ 6.03€
30 - 106 4.75€ 5.80€
Qnéuantità U.P
1 - 1 6.09€ 7.43€
2 - 2 5.79€ 7.06€
3 - 4 5.48€ 6.69€
5 - 9 5.18€ 6.32€
10 - 19 5.06€ 6.17€
20 - 29 4.94€ 6.03€
30 - 106 4.75€ 5.80€
Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!
Quantità in magazzino : 106
Set da 1

IRFP460. C(in): 4200pF. Costo): 870pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 23:25.

Documentazione tecnica

Prodotti equivalenti :

Esaurito
2SK1170

2SK1170

C(in): 2800pF. Costo): 780pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scato...
2SK1170
C(in): 2800pF. Costo): 780pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 32 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Protezione GS: sì
2SK1170
C(in): 2800pF. Costo): 780pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 32 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Protezione GS: sì
Set da 1
13.24€ IVA incl.
(10.85€ Iva esclusa)
13.24€

Informazioni e aiuto tecnico

Per telefono :
Via e-mail
Condizioni di vendita

Pagamento e consegna

Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!

Iscriviti alla newsletter

Accetto di ricevere e-mail e capisco che potrò annullare l'iscrizione in qualsiasi momento dopo l'iscrizione.

Tutti i diritti riservati, RPtronics, 2024.