Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SK1170

2SK1170
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2SK1170. C(in): 2800pF. Costo): 780pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 32 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.

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