IRFP260N

IRFP260N. C(in): 4057pF. Costo): 603pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 268 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: rapporto dv/dt dinamico, commutazione rapida. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.04 Ohms. RoHS: sì. Peso: 5.57g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 20:25.