Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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IRFP460APBF

IRFP460APBF
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 1 4.77€ 5.82€
2 - 2 4.53€ 5.53€
3 - 4 4.29€ 5.23€
5 - 9 4.05€ 4.94€
10 - 19 3.96€ 4.83€
20 - 29 3.86€ 4.71€
30 - 175 3.72€ 4.54€
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IRFP460APBF. RoHS: sì. Alloggiamento: TO-247. C(in): 3100pF. Costo): 480pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 480 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 17:25.

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Prodotti equivalenti :

Esaurito
2SK1170

2SK1170

C(in): 2800pF. Costo): 780pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scato...
2SK1170
C(in): 2800pF. Costo): 780pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 32 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Protezione GS: sì
2SK1170
C(in): 2800pF. Costo): 780pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 500 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 32 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Protezione GS: sì
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