IRFP4227

IRFP4227. C(in): 4600pF. Costo): 460pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PDP MOSFET. Id(imp): 260A. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Rds sulla resistenza attiva: 0.021 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 33 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.