Transistor

C(in): 1300pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 470ms. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFIBF30GPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 90 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: N. Rds sulla resistenza attiva: 0.024 Ohms. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 31A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 55V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FL014N. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 1.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 12 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 190pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FA. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 13 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 400pF. Costo): 145pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 35 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 11.2A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 2.8A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Equivalenti: IRFL024NPBF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.1W. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 22.2 ns. Td(acceso): 8.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FL024N. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.8A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 2.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.1 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 22 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 0.96A. ID (T=25°C): 1.5A. Idss (massimo): 1.5A. Nota: b47kaa. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 100V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FL110. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.9ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 180pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 140pF. Costo): 53pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 7.7A. ID (T=100°C): 0.6A. ID (T=25°C): 0.96A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Nota: serigrafia/codice SMD FC. Marcatura sulla cassa: FC. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FC. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.96A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 0.58A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 14 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 140pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. C(in): 660pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 55 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. IGF: 660pF. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.1W. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FL4310. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 34 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 330pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FE. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -1.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 9.6 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 270pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 200pF. Costo): 94pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 8.8A. ID (T=100°C): 0.69A. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FF. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.1A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.66A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP044N. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 53A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 43 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 120W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Custodia (standard JEDEC): 1. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 55V

C(in): 2400pF. Costo): 1300pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 120ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PowerMOSFET. Id(imp): 290A. ID (T=100°C): 52A. ID (T=25°C): 70A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Rds sulla resistenza attiva: 0.018 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 210 ns. Td(acceso): 8.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

C(in): 1900pF. Costo): 620pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 94 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 210A. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET ® Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

C(in): 4500pF. Costo): 2000pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. ID (T=100°C): 64A. ID (T=25°C): 70A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 83 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2900pF. Costo): 880pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 81 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 290A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 81A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. Rds sulla resistenza attiva: 0.012 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

C(in): 4000pF. Costo): 1300pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 390A. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP064NPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 43 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Custodia (standard JEDEC): 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP064PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 78A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 21 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 7400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 1700pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 180 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Nota: transistor complementare (coppia) IRFP9140. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Rds sulla resistenza attiva: 0.077 Ohms. RoHS: sì. Td(spento): 53 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Potenza: 180W. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS