IRFL4105PBF

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Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 4	1.18€	1.44€
5 - 9	1.13€	1.38€
10 - 24	1.07€	1.31€
25 - 49	0.83€	1.01€
50 - 99	0.82€	1.00€
100 - 249	0.80€	0.98€
250 - 359	0.79€	0.96€

Qnéuantità	U.P
1 - 4	1.18€	1.44€
5 - 9	1.13€	1.38€
10 - 24	1.07€	1.31€
25 - 49	0.83€	1.01€
50 - 99	0.82€	1.00€
100 - 249	0.80€	0.98€
250 - 359	0.79€	0.96€

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Set da 1

IRFL4105PBF. RoHS: sì. C(in): 660pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 55 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. IGF: 660pF. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.1W. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 12:25.

Documentazione tecnica