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Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 55V, 53A - IRFP044N

Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 55V, 53A - IRFP044N
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Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 55V, 53A - IRFP044N. Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 55V, 53A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 53A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP044N. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 43 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 120W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Prodotto originale del produttore International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 01/08/2025, 10:25.

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Transistor a canale N, 64A, 70A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 64A. ID (T=25°C): 70A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 4500pF. Costo): 2000pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 360A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 83 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
IRFP054
Transistor a canale N, 64A, 70A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 64A. ID (T=25°C): 70A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 4500pF. Costo): 2000pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Diodo Trr (min.): 270 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 360A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 83 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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