Transistor

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 2.2A. Potenza: 50W. Rds sulla resistenza attiva: 4.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source (Vds): 600V

C(in): 660pF. Costo): 86pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 370 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 2.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 510pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Rds sulla resistenza attiva: 2.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 9.8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

C(in): 1300pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Marcatura del produttore: IRFBC40PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.7A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 55 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 6.2A. Potenza: 125W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione drain-source (Vds): 600V

C(in): 1300pF. Costo): 310pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 480 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.1A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 82 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFBE30PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 82 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 490pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 350 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 6.8A. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 54W. Rds sulla resistenza attiva: 8 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 56 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-262 ( I2-PAK ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-262. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFBF30PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 2.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 90 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 980pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 410 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 12A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 89 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 1000V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFBG30PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 1.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 89 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 980pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 310pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: FET. Funzione: td(on) 10ns, td(off) 13ns. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. Ids: 0.025mA. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 13 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 1.7A. Rds sulla resistenza attiva: 0.2. Alloggiamento: DIP-4. Tensione drain-source (Vds): 60V

C(in): 640pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 88 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 640pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Polarità: MOSFET N. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 60V. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 2.5A. Voltaggio gate/source Vgs: 100m Ohms / 1.5A / 10V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Max: 1.3W. Alloggiamento: DIP4. Tipo di montaggio: THT

C(in): 180pF. Costo): 81pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 0.71A. ID (T=25°C): 1A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP4. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Marcatura del produttore: IRFD110PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.9ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 180pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Custodia (standard JEDEC): DIP-4. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 360pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 0.94A. ID (T=25°C): 1.3A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 18 ns. Td(acceso): 6.8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP4. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Marcatura del produttore: IRFD120PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 0.78A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 18 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Capacità del gate Ciss [pF]: 360pF

C(in): 360pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 0.94A. ID (T=25°C): 1.3A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 18 ns. Td(acceso): 6.8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

C(in): 140pF. Costo): 53pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 4.8A. ID (T=100°C): 0.38A. ID (T=25°C): 0.6A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. C(in): 22pF. Costo): 53pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 6.4A. ID (T=100°C): 0.38A. ID (T=25°C): 0.8A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 7.2 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza di terza generazione. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

C(in): 270pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 100dB. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: FET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Id(imp): 8.8A. ID (T=100°C): 0.8A. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: P. Corrente di assorbimento massima: 1.1A. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. Alloggiamento: DIP-4. Tensione drain-source (Vds): -60V

C(in): 570pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 100dB. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: FET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 13A. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protezione GS: NINCS