Transistor

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF9620PBF. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -1.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 350pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 3A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 2.4 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Quantità per scatola: 1

C(in): 700pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: P. Corrente di assorbimento massima: 6.5A. Potenza: 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -200V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF9630PBF. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ -3.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 28 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 700pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 74W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 1200pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Potenza: 125W. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Alloggiamento: TO-220AB. Marcatura del produttore: IRF9640PBF. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: P. Corrente di assorbimento massima: 11A. Potenza: 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.5 Ohms. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione drain-source (Vds): -200V

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F9640S. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F9952. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms/025 Ohms @ 2.2/-1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 26/40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 190/190pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F9952Q. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 26/40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 190/190pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F9953. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 190pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 350pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 47 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.175 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 620pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 54ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Alloggiamento: TO-220AB. Marcatura del produttore: IRF9Z34NPBF. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 620pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 68W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: P. Corrente di assorbimento massima: 17A. Potenza: 56W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione drain-source (Vds): -55V

C(in): 620pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 54ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F9Z34NS. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 620pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 68W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 1423pF. Costo): 208pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 510 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. Rds sulla resistenza attiva: 0.52 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 14 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa 52nC. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2830pF. Costo): 3310pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 520 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 50uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 220W. Rds sulla resistenza attiva: 0.26 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 2870pF. Costo): 3480pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 520 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 50uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. Rds sulla resistenza attiva: 0.21 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 1200pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori DC-DC ad alta frequenza. Id(imp): 92A. ID (T=100°C): 17A. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: B23N15D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 136W. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 18 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS

C(in): 4220pF. Costo): 580pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 240 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 56A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: FB260N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 380W. Rds sulla resistenza attiva: 0.04 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Funzione: SMPS, convertitori DC-DC ad alta frequenza. Protezione GS: NINCS

C(in): 8970pF. Costo): 1020pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 44 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Id(imp): 1080A. ID (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 375W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0021 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 118 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 9400pF. Costo): 820pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 42 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Id(imp): 850A. ID (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 370W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0028 Ohm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 69 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 75V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 6540pF. Costo): 720pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 33 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Id(imp): 840A. ID (T=100°C): 150A. ID (T=25°C): 210A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 2.4M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 6920pF. Costo): 600pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 36ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza negli alimentatori switching. Id(imp): 670A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 3.3M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 75V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS