IRFB11N50A

IRFB11N50A. C(in): 1423pF. Costo): 208pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 510 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. Rds sulla resistenza attiva: 0.52 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 32 ns. Td(acceso): 14 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa 52nC. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 07:25.