Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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IRF9630

IRF9630
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IRF9630. C(in): 700pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.

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Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (massimo): 4.4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 200V. Quantità per scatola: 1
SFP9630
Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (massimo): 4.4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 200V. Quantità per scatola: 1
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