Transistor

C(in): 1018pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 422 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF840ASPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 26 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1018pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Marcatura del produttore: IRF840PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 49 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 8A. Potenza: 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione drain-source (Vds): 500V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF840SPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 49 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 760pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 12 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 88A. ID (T=100°C): 9.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: IRF8707G. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.142 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 7.3 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 4.5V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F8736. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohms @ 18A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.35V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 13 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2315pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F8788. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.35V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 23 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5720pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 1200pF. Costo): 570pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 270ms. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Ids: 25uA. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 50M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 85 ns. Td(acceso): 38 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204AA ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: HEXFET. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione di laptop. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.039 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 25 ns. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.4V. Vgs(esimo) min.: 1.3V. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: HEXFET Transistor MOSFET di potenza. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: sì

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF9510PBF. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 43W. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 1

C(in): 390pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 98 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 0.6 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 350pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF9520. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 28 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 350pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Custodia (standard JEDEC): 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F9520. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 28 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 350pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF9520PBF. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 390pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 860pF. Costo): 340pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 120ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 88W. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 760pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Alloggiamento: TO-220AB. Marcatura del produttore: IRF9530. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -14A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -8.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 760pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 79W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: P. Corrente di assorbimento massima: 14A. Potenza: 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione drain-source (Vds): -100V

C(in): 1400pF. Costo): 590pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 34 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1300pF. Costo): 400pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 0.117 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 51 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: P. Corrente di assorbimento massima: 23A. Potenza: 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.117 Ohms. Tensione drain-source (Vds): -100V. Alloggiamento: TO-220AB <.45/32nsec

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF9540. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -11A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 51 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 140W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 170pF. Costo): 50pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 240 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 7A. ID (T=100°C): 1A. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF9610PBF. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.8A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ -0.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 10 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 170pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Custodia (standard JEDEC): 20W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 350pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS