IRF840PBF

IRF840PBF. Marcatura del produttore: IRF840PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 49 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 8A. Potenza: 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione drain-source (Vds): 500V. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 08:25.