Transistor a canale P, 1.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF9610

Transistor a canale P, 1.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF9610. Transistor a canale P, 1.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 170pF. Costo): 50pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 240 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 7A. ID (T=100°C): 1A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 02:25.