Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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IRF9530. C(in): 860pF. Costo): 340pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 120ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 88W. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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