IRF8707G

IRF8707G. C(in): 760pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 12 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 88A. ID (T=100°C): 9.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: IRF8707G. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.142 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 7.3 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 4.5V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 07:25.