IRF9620

IRF9620. C(in): 350pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 12:25.