IRF9Z24NPBF

IRF9Z24NPBF. C(in): 350pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 47 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.175 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 08:25.