IRFB23N15D

IRFB23N15D. C(in): 1200pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitori DC-DC ad alta frequenza. Id(imp): 92A. ID (T=100°C): 17A. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: B23N15D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 136W. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 18 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 07:25.