IRFB260N

IRFB260N. C(in): 4220pF. Costo): 580pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 240 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 56A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: FB260N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 380W. Rds sulla resistenza attiva: 0.04 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Funzione: SMPS, convertitori DC-DC ad alta frequenza. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 08:25.