IRFD120

IRFD120. C(in): 360pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 0.94A. ID (T=25°C): 1.3A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 18 ns. Td(acceso): 6.8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 00:25.