IRFBE30PBF

IRFBE30PBF. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFBE30PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 82 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 00:25.