IRFD024PBF

IRFD024PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 640pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Polarità: MOSFET N. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 60V. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 2.5A. Voltaggio gate/source Vgs: 100m Ohms / 1.5A / 10V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Max: 1.3W. Alloggiamento: DIP4. Tipo di montaggio: THT. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 00:25.