IRFD120PBF

IRFD120PBF. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP4. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Marcatura del produttore: IRFD120PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 0.78A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 18 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Capacità del gate Ciss [pF]: 360pF. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 00:25.