IRFD220PBF

IRFD220PBF. RoHS: sì. C(in): 22pF. Costo): 53pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 6.4A. ID (T=100°C): 0.38A. ID (T=25°C): 0.8A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 7.2 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza di terza generazione. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 17/01/2025, 00:25.