IRFL210

IRFL210. C(in): 140pF. Costo): 53pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 7.7A. ID (T=100°C): 0.6A. ID (T=25°C): 0.96A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Nota: serigrafia/codice SMD FC. Marcatura sulla cassa: FC. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 20:25.