Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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IRFP3710

IRFP3710
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IRFP3710. C(in): 3000pF. Costo): 640pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 210 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.026 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 17:25.

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IRFP3710N

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Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: FastSwitch. ID (T...
IRFP3710N
Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: FastSwitch. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 51A. Idss (massimo): 51A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Rds sulla resistenza attiva: 0.023 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 100V
IRFP3710N
Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: FastSwitch. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 51A. Idss (massimo): 51A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Rds sulla resistenza attiva: 0.023 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 100V
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