IRFP360

IRFP360. C(in): 4500pF. Costo): 1100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 420 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 92A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 400V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 17:25.