IRFR1205

IRFR1205. C(in): 1300pF. Costo): 410pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 65 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 107W. Rds sulla resistenza attiva: 0.027 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 47 ns. Td(acceso): 7.3 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+155°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 13:25.