IRG4BC30W

IRG4BC30W. C(in): 980pF. Costo): 71pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Funzione: transistor MOSFET di potenza fino a 150 kHz. Corrente del collettore: 23A. Ic(impulso): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Marcatura sulla cassa: IRG 4BC30W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 99 ns. Td(acceso): 25 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 50. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.