IRG4BC30FDPBF

IRG4BC30FDPBF. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC30FD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 31A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 42 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 230 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 100W. Corrente massima del collettore (A): 60.4k Ohms. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 11:25.