IRFZ44NS

IRFZ44NS. C(in): 1470pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 63 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 94W. Rds sulla resistenza attiva: 17.5m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 11:25.