IRG4BC20KDPBF

IRG4BC20KDPBF. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRG4BC20KD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 600V. Corrente collettore Ic [A]: 16A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 54 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 180 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Td(spento): 180 ns. Td(acceso): 54 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220 ( AB ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.27V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Corrente massima del collettore (A): 32A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 11:25.