Transistor

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMD-220. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L640S. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 44 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1800pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: N. Corrente di assorbimento massima: 150A. Potenza: 140W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0038 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Tensione drain-source (Vds): 30V

C(in): 7660pF. Costo): 2150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 740A. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.004 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 21 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 1V. Tecnologia: HEXFET Transistor MOSFET di potenza, controllato a livello logico. Protezione GS: NINCS

C(in): 10315pF. Costo): 1980pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 39 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 1372A. ID (T=100°C): 243A. ID (T=25°C): 343A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 375W. Rds sulla resistenza attiva: 1.4M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 65 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Azionamento motore CC, commutazione di potenza ad alta velocità. Spec info: controllo del livello logico. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 1077pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 16 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0065 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 9 ns. Td(acceso): 9.1ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 5110pF. Costo): 960pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: UPS, Convertitore CC/CC. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 2.5M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 5110pF. Costo): 960pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: UPS, Convertitore CC/CC. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 2.5M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/source (spenta) min.: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Protezione GS: NINCS

C(in): 7660pF. Costo): 2150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 740A. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.004 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 21 ns. Alloggiamento: SUPER-220. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPER220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 1V. Tecnologia: HEXFET Transistor MOSFET di potenza, controllato a livello logico. Protezione GS: NINCS

C(in): 5000pF. Costo): 1800pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 120ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 720A. ID (T=100°C): 126A. ID (T=25°C): 179A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 270W. Rds sulla resistenza attiva: 0.005 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 29 ns. Td(acceso): 14 ns. Alloggiamento: SUPER-220. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPER220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 1V. Tecnologia: HEXFET Transistor MOSFET di potenza, controllato a livello logico. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SUPER-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRLBA3803PPBF. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 179A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 59A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 29 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 270W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. Funzione: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. Ids: 0.025mA. Idss (massimo): 1.7A. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): HVMDIP ( DIP-4 ). Voltaggio Vds(max): 60V

C(in): 870pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 110 ns. Varie: Dynamic dv/dt Rating. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): HVMDIP ( DIP-4 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Commutazione rapida, gate drive a livello logico. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP4. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Marcatura del produttore: IRLD024PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 870pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 740pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 52 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dell amplificatore ottimizzate per audio di classe D. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 25uA. ID (min): 2uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 39W. Rds sulla resistenza attiva: 0.042 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 5.7 ns. Tecnologia: Audio digitale HEXSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

C(in): 660pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 57 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Applicazioni dell amplificatore ottimizzate per audio di classe D. Protezione GS: diodo. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 25uA. ID (min): 2uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Rds sulla resistenza attiva: 93m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 9.5 ns. Tecnologia: Audio digitale HEXSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -40...+170°C. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: LL014N. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 5.1 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 14 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 230pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FL024. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ 3.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 18 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 510pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.3 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 16 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 250pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 530pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 42 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 3.1A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.1W. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 6.9ns. Td(acceso): 7.4 ns. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2.4V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: LL2703. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 6.9ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 530pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: LL2703. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 6.9ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 530pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: LL2705. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.8A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 3.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.2 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 35 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 870pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1A. Tensione drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 0.47A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 2.5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 9.7 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 110pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.54W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 740pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 16 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 4.2A. Idss (massimo): 25uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.035 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 7.5 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 20V. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Vgs(esimo) min.: 0.6V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1g. Tensione drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.4A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7.5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 54 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 740pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C