Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.48€ | 1.81€ |
5 - 9 | 1.41€ | 1.72€ |
10 - 24 | 1.33€ | 1.62€ |
25 - 49 | 1.26€ | 1.54€ |
50 - 99 | 1.23€ | 1.50€ |
100 - 249 | 1.20€ | 1.46€ |
250 - 272 | 1.14€ | 1.39€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.48€ | 1.81€ |
5 - 9 | 1.41€ | 1.72€ |
10 - 24 | 1.33€ | 1.62€ |
25 - 49 | 1.26€ | 1.54€ |
50 - 99 | 1.23€ | 1.50€ |
100 - 249 | 1.20€ | 1.46€ |
250 - 272 | 1.14€ | 1.39€ |
IRLD024PBF. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP4. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Marcatura del produttore: IRLD024PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 870pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 05:25.
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