Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 8.52€ | 10.39€ |
2 - 2 | 8.10€ | 9.88€ |
3 - 4 | 7.67€ | 9.36€ |
5 - 9 | 7.24€ | 8.83€ |
10 - 19 | 7.07€ | 8.63€ |
20 - 29 | 6.90€ | 8.42€ |
30 - 68 | 6.65€ | 8.11€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 8.52€ | 10.39€ |
2 - 2 | 8.10€ | 9.88€ |
3 - 4 | 7.67€ | 9.36€ |
5 - 9 | 7.24€ | 8.83€ |
10 - 19 | 7.07€ | 8.63€ |
20 - 29 | 6.90€ | 8.42€ |
30 - 68 | 6.65€ | 8.11€ |
IRLBA1304P. C(in): 7660pF. Costo): 2150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 740A. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.004 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 21 ns. Alloggiamento: SUPER-220. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPER220. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 40V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 1V. Tecnologia: HEXFET Transistor MOSFET di potenza, controllato a livello logico. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 06:25.
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