IRLB8721

IRLB8721. C(in): 1077pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 16 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0065 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 9 ns. Td(acceso): 9.1ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 05:25.