IRLL110TRPBF

IRLL110TRPBF. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.3 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 16 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 250pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 06:25.