Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.84€ | 2.24€ |
5 - 9 | 1.74€ | 2.12€ |
10 - 24 | 1.65€ | 2.01€ |
25 - 36 | 1.56€ | 1.90€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.84€ | 2.24€ |
5 - 9 | 1.74€ | 2.12€ |
10 - 24 | 1.65€ | 2.01€ |
25 - 36 | 1.56€ | 1.90€ |
IRL640. C(in): 1800pF. Costo): 480pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 310 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 05:25.
Informazioni e aiuto tecnico
Pagamento e consegna
Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!
Tutti i diritti riservati, RPtronics, 2024.