Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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IRL640A

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5 - 9 1.10€ 1.34€
10 - 24 1.04€ 1.27€
25 - 49 0.98€ 1.20€
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IRL640A. Tipo di canale: N. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 18A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 05:25.

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IRL640

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C(in): 1800pF. Costo): 480pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 310 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS
IRL640
C(in): 1800pF. Costo): 480pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 310 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS
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