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IRL630A

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IRL630A. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 69W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220A. Voltaggio Vds(max): 200V. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 05:25.

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IRL630
Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220A. Voltaggio Vds(max): 200V
IRL630
Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220A. Voltaggio Vds(max): 200V
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