Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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IRLR7843

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IRLR7843. C(in): 4380pF. Costo): 940pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2000. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 39 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 161A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: LR7843. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 2.6m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 34 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.3V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Funzione: RDS molto basso (acceso) a 4,5 V VGS, impedenza di gate ultra bassa. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 02:25.

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C(in): 4880pF. Costo): 950pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 18 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. Id(imp): 640A. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 160A. Idss (massimo): 150uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 135W. Rds sulla resistenza attiva: 2.4M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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