Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.60€ | 1.95€ |
5 - 9 | 1.52€ | 1.85€ |
10 - 24 | 1.44€ | 1.76€ |
25 - 49 | 1.09€ | 1.33€ |
50 - 99 | 1.07€ | 1.31€ |
100 - 249 | 1.04€ | 1.27€ |
250 - 2881 | 0.99€ | 1.21€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.60€ | 1.95€ |
5 - 9 | 1.52€ | 1.85€ |
10 - 24 | 1.44€ | 1.76€ |
25 - 49 | 1.09€ | 1.33€ |
50 - 99 | 1.07€ | 1.31€ |
100 - 249 | 1.04€ | 1.27€ |
250 - 2881 | 0.99€ | 1.21€ |
IRLR2905TRPBF. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRLR2905PBF. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 42A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 26 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1700pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 110W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 02:25.
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