Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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IXFH32N50

IXFH32N50
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1 - 1 20.83€ 25.41€
2 - 2 19.79€ 24.14€
3 - 4 18.75€ 22.88€
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IXFH32N50. C(in): 5700pF. Costo): 750pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 128A. ID (T=25°C): 32A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 200uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 360W. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 24/01/2025, 22:25.

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C(in): 5000pF. Costo): 553pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 170 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 124A. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 2mA. ID (min): 50uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 460W. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione GS: NINCS
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