IRFP27N60KPBF

IRFP27N60KPBF. C(in): 4660pF. Costo): 460pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 620 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 27A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 50uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 500W. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 27 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.