IXFK64N60P

IXFK64N60P. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFK64N60P. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 28 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 79 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 12000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1040W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 24/01/2025, 22:25.