IXFA130N10T2

IXFA130N10T2. C(in): 6600pF. Costo): 640pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 300A. ID (T=25°C): 130A. Idss (massimo): 500uA. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 360W. Rds sulla resistenza attiva: 0.01 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 24/01/2025, 23:25.