IXFK44N80P

Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 1	19.39€	23.66€
2 - 2	18.42€	22.47€
3 - 4	17.45€	21.29€
5 - 9	16.48€	20.11€
10 - 14	16.10€	19.64€
15 - 19	15.71€	19.17€
20 - 66	15.13€	18.46€

Qnéuantità	U.P
1 - 1	19.39€	23.66€
2 - 2	18.42€	22.47€
3 - 4	17.45€	21.29€
5 - 9	16.48€	20.11€
10 - 14	16.10€	19.64€
15 - 19	15.71€	19.17€
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Set da 1

IXFK44N80P. RoHS: sì. C(in): 12pF. Costo): 910pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 1.5mA. ID (min): 50uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.19 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 24/01/2025, 22:25.

Documentazione tecnica