IXFH58N20

IXFH58N20. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AD. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IXFH58N20. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 58A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 25 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 90 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 24/01/2025, 23:25.